RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3238
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link