RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
46
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3005
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link