RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
71
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
6.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1767
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link