RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
46
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2902
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-015.A00LF 2GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link