RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
46
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
15.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3621
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link