RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2696
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link