RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
46
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2641
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link