RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
90
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
90
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
8.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1743
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link