RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
50
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2768
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link