RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
50
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
16.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3908
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link