RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
50
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
15.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3785
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link