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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
50
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
12.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3090
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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