RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
50
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
15.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3914
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link