RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
50
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.2
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
21.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
19.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
4349
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link