RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
50
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2882
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link