RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
50
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
16.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3870
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905471-084.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link