RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
50
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
10.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2518
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link