RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
31
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3774
2762
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link