RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Vergleichen Sie
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Gesamtnote
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2625
2776
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1866 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link