RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2084
3849
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB RAM-Vergleiche
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link