RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Vergleichen Sie
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Gesamtnote
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2920
2858
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link