RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
33
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3694
2987
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link