RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
87
Rund um -335% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3439
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link