RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
87
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2394
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link