RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
87
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3429
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link