RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
87
Rund um -383% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
18.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3625
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link