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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
87
Rund um -295% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2809
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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