RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
87
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
1968
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link