RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
87
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3733
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link