RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
87
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2760
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link