RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
87
Rund um -172% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2968
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link