RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
87
Rund um -278% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3116
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link