RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
87
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3457
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link