RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
87
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3676
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link