RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
87
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3515
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link