RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
87
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2396
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link