RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
87
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2605
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link