TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Gesamtnote
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Unterschiede

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 16.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    870.4 left arrow 10.9
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    38 left arrow 87
    Rund um -129% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 5300
    Rund um 4.83 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    87 left arrow 38
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,155.6 left arrow 16.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    870.4 left arrow 10.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    417 left arrow 2829
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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