RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
55
87
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
7.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2078
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link