RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
87
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2181
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP16D3LS1KFG/4G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link