TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Gesamtnote
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Gesamtnote
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Shenzhen Technology Co Ltd  8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Unterschiede

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 15.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    870.4 left arrow 11.9
    Durchschnittswert bei den Tests
Shenzhen Technology Co Ltd  8GB Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    32 left arrow 87
    Rund um -172% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 5300
    Rund um 3.62 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    87 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,155.6 left arrow 15.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    870.4 left arrow 11.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    417 left arrow 2831
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RAM 1
RAM 2

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