RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
87
Rund um -123% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2159
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link