RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
87
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2199
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link