RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
87
Rund um -278% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2619
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link