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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
53
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
15.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3601
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
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