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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
53
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2960
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
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