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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
53
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3341
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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