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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2871
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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