RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
53
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3698
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link