RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
53
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
15.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3784
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link