RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
53
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
15.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3784
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link